型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGCA100M1H提供高功率，高效、易于匹配和DC更大的一致性4GHz高功率应用，50V操作。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGCA100M1H
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地 日本
封装 DFN
型号参数
用于直流至4GHz的高功率GaN HEMT
高功率：110W@3.9GHz
高效率：48%@3.9GHz
CW可操作
输入预匹配3.9GHz
小型无法兰封装
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