型号简介
Sumitomo的FSU02LG是一种高性能、低噪声的GaAs FET，设计用于PCS/PCN应用程序作为2GHz频带的驱动器。Eudyna严格的质量保证计划确保最高可靠性和一致的性能。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 FSU02LG
名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地 日本
封装 LG*
型号参数
高输出功率：P1dB=23.0dBm（典型值）@2GHz
高相关增益：G1dB=17.0dB（典型值）@2GHz
低噪声系数：NF=1.5dB（典型值）@f=2GHz
低偏置条件：VDS=3V，20mA
经济高效的密封微带封装
提供磁带和卷轴
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