型号简介
Sumitomo的SGC7178-100A是一款高功率GaN HEMT,内部匹配C波段应用,可在50Ω系统中提供最佳功率和增益。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGC7178-100A
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 IK
型号参数
高输出功率:P5dB=50dBm(典型值)
高增益;GL=12dB(典型值)
PAE高;ηadd=36%(典型值)
宽带;7.1至7.8GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
密封包装
相关型号
SGK5867-30C
SGK5867-100C
SGC7172-120A
SGN3133-260H-R
SGC7172-30A
SGC7178-100A
F658-7785-30A
SGC5259-400B-R
F658-6472-60A
F658-5867-100A
SGC8598-100B-R
SGC8598-200B-R
SGC8598-50B-R
SGC0910-200B-R
SGK1314-30B
FS/F658-8598-200A-R
ES/SGM6801V1M
SGM6906VU
SGC1011-300B-R
SGC8595-300B-R