型号简介
Sumitomo的F658-5867-100A是一种高功率GaN HEMT，内部与标准通信频带匹配，以提供最佳50欧姆系统中的功率和增益。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 F658-5867-100A
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 I2F
型号参数
高输出功率：P5dB=50.5dBm（典型）
高线性增益：GL=13.5dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=45%（典型值）
宽带：5.85至6.75GHz
密封包装
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