型号简介
Sumitomo的ES/SG5867-100C是一种高功率GaN HEMT，内部匹配标准通信频带，在50Ω系统中提供最佳功率和增益。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGK5867-100C
名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地 日本
封装 SMT
型号参数
高输出功率：P5dB=50.5dBm（典型）
高增益；GL=14.5dB（典型值）
PAE高；ηadd=45%（典型值）
宽带；5.85至6.75GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
密封包装
相关型号
SGK5867-100C
SGC7172-120A
SGN3133-260H-R
SGC7172-30A
SGC7178-100A
SGK5867-20A
SGC5259-400B-R
SGM6906VU
F658-5867-100A
SGC8598-100B-R
SGC8598-200B-R
SGC8598-50B-R
SGC0910-200B-R
SGK1314-30B