型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN27C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作,并为您提供更高的增益。此新产品非常适合用于2.6GHz LTE设计要求,因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Eudyna
型号 SGN27C210I2D
名称 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
产地 日本
封装 SMT
型号参数
高压操作:VDS=50V
高功率:53.0dBm(典型值)@Psat
高效率:62%(典型值)@Psat
功率增益:16.3dB(典型值)@f=2.655GHz
经验证的可靠性
相关型号
EGN21C070MK
EGN21C105I2D
EGN21C160I2D
EGN21C210I2D
EGN21C320IV
SGN21C050MK
EGN26C070I2D
EGN26C070MK
EGN26C105I2D
EGN26C160I2D
EGN26C210I2D
SGN26C050MK
SGN27C160I2D
SGN27C210I2D
EGN35C070I2D
SGNC320MK
SGN19C320I2D
SGN21C320I2D
SGN26C320I2D
SGN2729-150D-R
SGN2729-450H-R