1.概述W25Q80DV/DL（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从Dual/QuadSPI（XIP）执行代码，并存储语音、文本和数据。W25Q80DV工作在单个2.7V至3.6V电源上，W25Q80 DL工作在单个2.3V至3.6V电源上，断电时电流消耗低至1µa。W25Q80DV/DL阵列被组织成4096个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以按16组（4KB扇区擦除）、128组（32KB块擦除）、256组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）擦除。W25Q80DV/DL具有256个可擦除扇区和16个可擦除块。小型4KB扇区在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。
2.特点 SpiFlash存储器系列–W25Q80DV/DL:8M位/1M字节（1048576）–每个可编程页面256字节–标准SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–双SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP和/Hold–四路SPI:CLK，/CS、IO0、IO1、IO2、IO3–统一4KB扇区、32KB和64KB块 最高性能串行闪存–W25Q80DV 104MHz双/四SPI时钟208/416MHz等效双/四SPI50MB/S连续数据传输速率–W25Q 80DL 80MHz双/四方SPI时钟160/320MHz等效双/四方SPI40MB/S连续数据传送速率 软件和硬件写入保护–写入保护全部或部分内存–启用/禁用带有/WP引脚的保护–顶部或底部阵列保护 具有4KB扇区的灵活体系结构–统一扇区/块擦除（4/32/64千字节）–擦除/程序挂起和恢复–超过100000个擦除/写入周期–超过20年的数据保留期 低功率、宽温度范围–W25Q80DV：单个2.7至3.6V电源–W25Q 80DL：单个2.3至3.6V供电–<1µA断电（典型）
WINBOND/华邦 W25Q80DVSNIG SOP8 NOR FLASH存储器
型号:
W25Q80DVSNIG