1.概述W25Q128JV（128M位）串行闪存为具有有限空间、引脚和电源的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双/四SPI（XIP）执行代码，并存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上运行，断电时电流消耗低至1µa。所有设备均采用节省空间的包装。W25Q128JV阵列被组织成65536个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256个字节扫描。页面可以按16个组（4KB扇区擦除）、128个组（32KB块擦除）、256个组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）擦除。W25Q128JVM分别具有4096个可擦除扇区和256个可擦除块。小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中实现更大的灵活性。
2.特点 新的SpiFlash存储器系列–W25Q128JV:128M位/16M字节–标准SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–双SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP，/Hold–四SPI：CLK、/CS和IO0、IO 1、IO2、IO3–QPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3–SPI/QPI DTR（双传输速率）读取–软件和硬件重置（1） 最高性能串行闪存–133MHz单、双/四SPI时钟–266/532MHz等效双/四SPI–66MB/S连续数据传输速率–每个扇区至少100K程序擦除周期–数据保留时间超过20年 高效的“连续读取”和QPI模式–具有8/16/32/64字节环绕的连续读取–寻址内存只需8个时钟–四外设接口（QPI）减少了操作开销–允许真正的XIP（就地执行）操作 低功率、宽温度范围–单个2.7至3.6V电源–<1µA断电（典型）–-40°C至+85°C工作范围–-40°C.至+105°C 具有4KB扇区的灵活架构–统一扇区/块擦除（4K/32K/64K字节）–P
WINBOND/华邦 W25Q128JVSIM SOP8 NOR FLASH存储器
型号:
W25Q128JVSIM