1.概述W634GU6QB是一个4G位DDR3L SDRAM，组织为33554432个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速传输速率，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09、-11、-12、09I、11I、12I、09J、11J和12J。-09、09I和09J速度等级符合DDR3-2133L（14-14-14）规范（09I工业等级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，09J工业+等级保证支持-40C≤TCASE≤105°C）。-11、11I和11J速度等级符合DDR3L-1866（13-13-13）规范（11I工业等级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，11J工业+等级保证支持-40C≤TCASE≤105°C）。-12、12I和12J速度等级符合DDR3L-1600（11-11-11）规范（12I工业等级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，12J工业+等级保证支持-40C≤TCASE≤105°C）。W634GU6QB的设计符合以下关键DDR3L SDRAM功能，如支持的CAS#、可编程的CAS#写入延迟（CWL）、ZQ校准、片上终止和同步重置。所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）。在源同步刷新中，所有I/O都与差分DQS-DQS#对同步。
2.特点⚫ 电源：1.35V（典型），VDD，VDDQ=1.283V至1.45V⚫ 向后兼容VDD，VDDQ=1.5V±0.075V⚫ 双数据速率架构：每个时钟周期两次数据传输⚫ 八家内部银行同时运营⚫ 8位预取架构⚫ CAS延迟：5、6、7、8、9、10、11、13和14⚫ 突发长度8（BL8）和突发斩波4（BC4）模式：通过模式寄存器（MRS）固定或可选择OnThe-Fly（OTF）⚫ 可编程读突发排序：交错或半字节顺序⚫ 双向差分数据选通（DQS和DQS#）与数据一起发送/接收⚫ 边缘与读取数据对齐，中心与写入数据对齐⚫ DLL将DQ和DQS转换与时钟对齐⚫ 差分时钟输入（CK和CK#）⚫ 在每个正CK边缘、数据和数据掩码上输入的命令都参考差分数据选通对的两个边缘（双倍数据速率）⚫ 发布具有可编程附加延迟（AL=0、CL-1和CL-2）的CAS，以提高命令、地址和数据总线效率⚫ 读取延迟=加性延迟加CAS延迟（RL=AL+CL）⚫ 读取和写入突发的自动预充电操作⚫ 刷新、自刷新、自动自刷新（ASR）和部分阵列自刷新（PASR）⚫ 预充电断电和主动断电
WINBOND/华邦 W634GU6QB-11 BGA96 DDR SDRAM存储器
型号:
W634GU6QB-11