1.概述W9425G6KH是一种CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器（DDRSDRAM），组织为4194304个字 4个银行 16位。W9425G6KH可提供高达每秒400M个字的数据带宽。为了完全符合个人计算机行业标准，W9425G6KH被分为两个速度等级：5和-5I。-5级和-5I级符合DR400/CL3规范（-5I工业级，保证支持-40°C≤TA≤85°C）。所有输入参考CLK的正边缘（DQ、DM和CKE除外）。差分时钟的定时参考点是当CLK和CLK信号在转换期间交叉时。写入和读取数据和DQS（数据选通）的两个边缘同步。通过具有可编程模式寄存器，系统可以改变突发长度、延迟周期、交织或顺序突发，以最大限度地提高其性能。W9425G6KH是高性能应用中主存储器的理想选择。
2.特点 用于DDR400的2.5V±0.2V电源 高达200 MHz的时钟频率 双数据速率架构；每个时钟周期两次数据传输 差分时钟输入（CLK和CLK） DQS与用于读取的数据边缘对齐；与写入数据居中对齐 CAS延迟：2、2.5和3 突发长度：2、4和8 自动刷新和自刷新 预充电断电和主动断电 写入数据掩码 写入延迟=1 7.8µS刷新间隔（8K/64 mS刷新） 最大突发刷新周期：8 接口：SSTL_2 TSOP II 66引脚封装，采用无铅材料，符合RoHS标准