1.概述W25Q80DV（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双/四SPI（XIP）执行代码，并存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上运行，断电时电流消耗低至1µa。所有设备均采用节省空间的包装。W25Q80DV阵列被组织成4096个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256个字节扫描。页面可以按16个组（4KB扇区擦除）、128个组（32KB块擦除）、256个组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）擦除。W25Q80DV分别具有256个可擦除扇区和16个可擦除块。小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中实现更大的灵活性。（见图2。）W25Q80DV支持标准串行外围接口（SPI）、高性能双/四路输出以及双/四I/O SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0（DI）、I/O 1（DO）、I/O 2（/WP）和I/O 3（/HOLD）。支持高达104MHz的SPI时钟频率，当使用快速读取双/四I/O指令时，双I/O允许208MHz（104MHz x 2）和四I/O允许416MHz（104MHzx 4）的等效时钟速率。这些传输速率可以优于标准异步8位和16位并行闪存。Hold引脚、Write Protect引脚和可编程写入保护，具有顶部、底部或互补阵列控制，提供了进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准制造商和具有64位唯一序列号的设备标识。
2.特点 SpiFlash存储器系列–W25Q80DV:8M位/1M字节（1048576）–每个可编程页面256字节–标准SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–双SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP和/Hold–四SPI：CLK、/CS、IO0、IOS1、IO2、IO3–统一4KB扇区、32KB和64KB块 最高性能串行闪存–104MHz双/四SPI时钟–208/416MHz等效双/四SPI–50MB/S连续数据传输速率 软件和硬件写入保护–写入保护全部或部分内存–启用/禁用带有/WP引脚的保护–顶部或底部阵列保护 具有4KB扇区的灵活体系结构–统一扇区/块擦除（4/32/64千字节）–编程1到256字节<0.8毫秒–擦除/编程挂起和恢复–超过100000个擦除/写入周期–超过20年的数据保留期 低功率、宽温度范围–单个2.7至3.6V电源–<1µA断电（典型值） 空间高效封装（1）：–8引脚SOIC 150 mil/208 mil，VSOP 150 mil–8焊盘WSON 6x5 mm，USON 2x3 mm–8引脚PDIP 300 mil–八球WLCSP–联系Winbond了解KGD和其他选项注1。有些包装类型是特殊订单，请联系Winbond了解订购信息。
WINBOND/华邦 W25Q80DVSVIG-TR VSOP-8 NOR FLASH存储器
型号:
W25Q80DVSVIG-TR