ZK3080T：低压大电流场景下的功率器件标杆

低压大电流新选择：ZK40N190G MOSFET的技术优势与应用价值

能量调控的精巧使者：ZK68N80T MOSFET的特性与价值

功率器件MOS管中的实干家：ZK100G120B的性能优势与场景赋能

中科微电ZK40P80G：小封装大能量的P沟道MOS管新选择

ZK40P80T：P沟道MOS管中的高功率性能担当

中科微电ZK150G002P：高耐压大电流N沟槽MOS管的性能突破

ZK40N100G：PDFN封装赋能的中低压大电流MOS管标杆

中科微电ZK60N04NF：DFN封装加持的中低压功率控制核心

中科微电ZG2131：赋能单相系统的高耐压驱动芯片新选择

中科微电ZK60N04NF：N沟槽MOS管中的场景适配专家

中科微电ZK150G05T：中压小封装功率器件的适配型创新

中科微电ZK150G09T：SGT工艺驱动的中压小封装MOSFET创新实践

ZK150G130B：SGT工艺加持的中压功率控制新选择

ZK150G002B：SGT工艺赋能的中压大电流MOSFET技术解析

ZK3030DG：N+P互补架构，低压双向功率控制的革新方案

中科微电ZK60N06DS：N+N，低压mos管功率控制的集成化新选择

中科微电ZK30N140T：Trench工艺加持的低压大电流MOS管新标杆

ZK60G120T：SGT+小型化封装，60V/120A功率控制的破局者

ZK30G011G：Trench工艺加持的30V/160A低压大电流功率新星