基本半导体铜烧结技术在碳化硅功率模块中的应用

驱动碳化硅MOSFET使用米勒钳位功能的必要性分析

国芯思辰｜基本半导体650V 20A碳化硅肖特基二极管B1D20065K替代IDH20G65C5应用于PFC电路

国芯思辰｜基本半导体​1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流

碳化硅功率器件可靠性测试方法详解

浅谈新能源汽车电机控制器的MOSFET B2M065120H应用

基本半导体BGH75N120HF1在高频DC-DC电源转换器的优势

基本半导体之碳化硅MOSFET和充电桩详解

基本半导体荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖