基本半导体亮相SNEC上海光伏展,展示创新功率器件
基本半导体携多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC国际光伏展
基本半导体登上央视财经《中国经济大讲堂》
深圳基本半导体公司成功研发沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及制备技术
第三代半导体创新企业基本半导体荣获锐湃科技2023年度优秀合作奖
基本半导体在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件领先技术
国芯思辰|耐压1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充电桩电源模块上,Rds为32mΩ
国芯思辰|对标科锐C4D30120D,40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调升压电源
国芯思辰|基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D30120HC1可pin to pin替换科锐C4D30120D
国芯思辰|基本半导体650V碳化硅肖特基二极管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服务器电源
国芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW车载OBC上的应用,可替代C2M0080120D
国芯思辰|可替换C3D10065A的碳化硅肖特基二极管:基本半导体650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC电源设计
国芯思辰|基本半导体碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氢能源发电机,工作结温-55~175℃
国芯思辰|基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D06065E在主体为BOOST电路的PFC电路应用方案
国芯思辰|基本半导体650V碳化硅肖特基二极管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站电源
国芯思辰|基本半导体大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS电源高效化,导通电阻32mΩ
国芯思辰|基本半导体SiC肖特基二极管助力OBC发展,650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列
国芯思辰|基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT钳位,反向电压1200V
国芯思辰|基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低电机驱动功率损耗,导通延迟20ns
国芯思辰|基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器,有效提高系统功率密度