宽禁带(WBG)半导体封装与测试解决方案

IGBT器件失效模式的影响分析

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碳化硅器件封装中的3个关键技术指标是什么

浅谈伺服驱动技术未来开发趋势

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【当代材料电学测试】系列之四：宽禁带材料测试

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宽禁带生态系统：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性

【泰克电源设计与测试】致工程师系列之五：优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计

宽禁带器件和仿真环境介绍

相控阵雷达性能的基石：宽禁带半导体