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晶体振荡器

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有一些电子设备需要频率高度稳定的交流信号，而LC振荡器稳定性较差，频率容易漂移（即产生的交流信号频率容易变化）。在振荡器中采用一个特殊的元件——石英晶体，可以产生高度稳定的信号，这种采用石英晶体的振荡器称为晶体振荡器。 ...展开

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Q MEMS振荡器YSO691ER 15MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-15M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 74.25MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG1EI-112-74.25M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 8.192MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-8.192M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 20MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG1EI-112-20M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 125MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-125M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 10MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-10M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 10MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG1EI-112-10M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 72MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-72M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 98.304MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-98.304M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 34.56MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-34.56M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 12.288MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-12.288M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 24.576MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG1EI-112-24.576M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 26MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-26M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 100MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-100M

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Q MEMS振荡器YSO691ER 156.253906MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ CMOS OG8EI-112-156.253906M

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石英温补振荡器YSO510TP 25MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OW2EI-XFM-25M

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石英温补振荡器YSO510TP 32MHZ 3.3V -30~85℃ Clipped Sine Wave OW2ENUXFM-32M

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石英温补振荡器YSO510TP 30MHZ 3.3V -30~85℃ Clipped Sine Wave OW2ENUXFM-30M

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