硅二极管标签技术文章列表 - 电子发烧友网

登录

硅二极管

0人关注

　　硅二极管死区电压约0.5伏，锗的0.1伏，正向压降硅0.6~0.7伏，锗0.2~0.3伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。 ...展开

35
文章
0
视频
3
帖子
12794
阅读

关注标签，获取最新内容

相关推荐

更多 >

×

20

完善资料，
赚取积分

联系我们

广告合作: 王婉珠：wangwanzhu@elecfans.com
内容合作: 黄晶晶：huangjingjing@elecfans.com
内容合作（海外）: 张迎辉：mikezhang@elecfans.com
社区合作: 刘勇：liuyong@huaqiu.com
客服电话: 400 990 8686

©2021 elecfans.com.All Right Reserved
湘ICP备2023018690号