宽带隙半导体GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀

湿法蚀刻在硅片减薄中的作用

蚀刻后残留物和光刻胶的去除方法

ITO薄膜的蚀刻速率研究

ITO薄膜湿法刻蚀研究

一种用于硅片超薄化的腐蚀技术

蚀刻系统操作条件对晶片蚀刻速率和均匀性的影响

CLL技术应用于新材料和系统的制造和研究

TSV工艺流程与电学特性研究

使用硬掩模进行更精细的硅通孔蚀刻

硝酸浓度对硅晶片总厚度和重量损失的影响

硅片减薄蚀刻技术：RIE技术将硅片减薄到小于20微米

蚀刻工艺表征实验报告研究

InGaP层去除GaAs外延盖层的选择性湿法蚀刻工艺

通过一体式蚀刻工艺来减少通孔的缺陷

用于Pt湿法蚀刻的铂薄膜图案化方案

半导体工业中表面处理和预清洗的重要性

KOH和TMAH溶液中凸角蚀刻特性研究

多晶ZnO:Al薄膜的蚀刻特性研究

等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案