一种用于硅片超薄化的腐蚀技术

蚀刻系统操作条件对晶片蚀刻速率和均匀性的影响

CLL技术应用于新材料和系统的制造和研究

TSV工艺流程与电学特性研究

使用硬掩模进行更精细的硅通孔蚀刻

硝酸浓度对硅晶片总厚度和重量损失的影响

硅片减薄蚀刻技术：RIE技术将硅片减薄到小于20微米

蚀刻工艺表征实验报告研究

InGaP层去除GaAs外延盖层的选择性湿法蚀刻工艺

通过一体式蚀刻工艺来减少通孔的缺陷

用于Pt湿法蚀刻的铂薄膜图案化方案

半导体工业中表面处理和预清洗的重要性

KOH和TMAH溶液中凸角蚀刻特性研究

多晶ZnO:Al薄膜的蚀刻特性研究

等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案

晶片湿法刻蚀技术研究

一种基于摩擦诱导选择性蚀刻的新型纳米制备方法

车轮图案和宽分离的V形槽的硅蚀刻速率测量实验

硅结构的深且窄的各向异性蚀刻研究

使用蚀刻掩模材料在InP衬底中实现V形槽