搜索内容
登录
DRAM
41人关注
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）
...展开
2326
文章
17
视频
84
帖子
189577
阅读
关注标签，获取最新内容
全部
技术
资讯
资料
帖子
视频
DRAM主要厂商新品梳理
2020-10-24
9873阅读
DRAM市场下滑 晶圆加工依赖中芯国际
2020-10-21
2773阅读
DRAM、3D NAND和下一代内存市场
2020-10-21
2708阅读
深科技:加速国内存储器芯片封测的深度国产化
2020-10-21
5599阅读
供应商库存持续降低,DRAM产业即将落底
2020-10-19
1804阅读
英睿达P5 1TB SSD的在写速度和性能评测
2020-10-19
5416阅读
快讯：三星电子预计Q3利润同比增长58%
2020-10-12
2251阅读
停摆两年半的成都格芯，终于迎来了接盘者
2020-10-12
2884阅读
新一代AI/ML加速器新型内存解决方案——HBM2E内存接口
2020-10-23
6678阅读
通用选择器可有效解决行锤干扰的DRAM问题
2020-10-14
850阅读
三星和SK海力士在DRAM生产导入EUV，美光不跟进
2020-10-09
3004阅读
紫光集团DRAM事业群执行副总裁高启全退休 坂本幸雄接收紫光DRAM布局
2020-10-02
8083阅读
存储领域将迎来技术革命，存储级内存是革命的基础
2020-09-30
2257阅读
改变未来的存储技术的会不会是相变材料
2020-09-26
2573阅读
三星与SK海力士同步看好DRAM后市 预测后期不排除出现短缺
2021-02-01
1498阅读
宜鼎最新DRAM模组，为FPGA提供大容量与低延迟的高效能选择
2021-01-29
1591阅读
美光量产并出货1αnm DRAM内存芯片 功耗可降低15％
2021-01-27
2475阅读
一文解析铁电存储器使用及工作原理
2021-01-21
2.2w阅读
DRAM市场循环谷底 2021年需求持续改善
2021-01-11
1993阅读
预计2021年整体DRAM价格可望逐步向上
2021-01-06
2853阅读
上一页
58
/
119
下一页
相关推荐
更多 >
3D打印
拆解
贸泽电子
OGS
EUV
14nm
寒武纪
半导体芯片
EnOcean
Heilind
4K
×
20
完善资料，
赚取积分
下载APP
搜索内容
