F-RAM

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  F-RAM芯片包含一个锆钛酸铅[Pb(Zr,Ti)O3]的薄铁电薄膜,通常被称为PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在电场中改变极性,从而产生一个二进制开关。与RAM器件不同,F-RAM在电源被关闭或中断时,由于PZT晶体保持极性能保留其数据记忆。这种独特的性质让F-RAM成为一个低功耗、非易失性存储器。 ...展开
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