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GaN快充
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氮化镓（GaN）是一种高电子迁移率晶体管（HEMT），意味着GaN器件的临界电场强度大于硅。GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升频率，降低驱动损耗。快充能在1～5h内使蓄电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法。
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