IGBT的终端耐压结构—平面结和柱面结的耐压差异（1）

IGBT的关断瞬态分析—IV关系（2）

IGBT的关断瞬态分析—IV关系（1）

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储变化趋势(3)

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储变化趋势(2)

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储变化趋势(1)

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储初始值

IGBT电压与电荷分布之间的关系（2）

IGBT电压与电荷分布之间的关系（1）

IGBT的稳态分析—电流与电荷分布关系修正

IGBT稳态分析—电流与电荷分布的初步分析（3）

IGBT稳态分析—电流与电荷分布的初步分析（2）

IGBT稳态分析—电流与电荷分布的初步分析（1）

IGBT的物理结构模型—BJT&MOS模型（2）

IGBT的物理结构模型—BJT&MOS模型（1）

IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（3）

金升阳IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源产品优势

IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（2）

IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（1）

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