实现大电流化的技术要点

开关损耗更低，频率更高，应用设备体积更小的全SiC功率模块

PrimePACK模块在双馈风力发电系统中的可靠性考虑

Si-MOSFET与IGBT的区别

基于PrimePACKTM IGBT模块优化集成技术的逆变器

创新逆变器产品的创新细节

具备更强机械性能的高功率IGBT模块和采用最新3.3kV IGBT3芯片技术

IGBT并联设计参考

EconoPACKTM4坚固、可靠的下一代功率模块

英飞凌第四代IGBT—T4在软开关逆变焊机中的应用

面向嵌入式系统的优化型IGBT

节能舒适面向空调系统的最新逆导IGBT技术

基于IGBT器件的大功率DC/DC电源技术方案

碳化硅的物理特性和特征

晶体管的分类与特征

超级结MOSFET

同时具备MOSFET和IGBT优势的HybridMOS

LCD无刷驱动控制芯片方案

SiC-MOSFET体二极管特性

全SiC功率模块的开关损耗