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SPS
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SPS是以安全域为单位进行管理，它由4个部分组成：安全网关（GW）、策略客户端（PU）、安全策略服务器（PS）和安全系统数据库（SPSDB）。
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器件名：
SM2910T9RL
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
SM4185T9RL
产品描述：
类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.5mΩ;
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
2N3055T3BL
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):115W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@10A,3.3A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V;特征频率(fT):2.5MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj);
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
2N3773T3BL
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):16A;功率(Pd):150W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):4V@16A,3.2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@8A,4V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SPS
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替代料
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器件名：
MN638SVL-RPT0TL
产品描述：
生产厂商：
SPS
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替代料
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器件名：
SM2312SRL
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18.9mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):800mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):525pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):75pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
生产厂商：
SPS
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替代料
价格
器件名：
SMIRF5N65T1TL
产品描述：
类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
SMIRF8N60T1TL
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):152W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.16nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
SMIRF12N65T1TL
产品描述：
类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
SM420R65CT2TL
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):39nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):680pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
TIP41CT1TL
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
BU406T1TL
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):60W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@2A,5V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
2SC2073T1TL
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):25W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
SM4184T9RL
产品描述：
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
SM418T9RL
产品描述：
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
SMIRF4N65T9RL
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):610pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
SM600R65CT9RL
产品描述：
类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
BU406DT9TL
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@5A,800mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@2A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
SM3416SRL
产品描述：
MOSFETs N-沟道 VDS=20V ID=6.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V,6.5A SOT23
生产厂商：
SPS
规格书
替代料
价格
器件名：
2SC3834T1TL
产品描述：
2SC3834T1TL
生产厂商：
SPS
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