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utc指的是世界协调时间。GPS系统中有两种时间区分,一为UTC,另一为LT(地方时),两者的区别为时区不同,UTC就是0时区的时间,LT为本地时间,如北京LT时间为早上八点(东八区),UTC时间就为零点。
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器件名:
TL062
产品描述:
TL062 - LOW POWER DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER - Unisonic Technologies
生产厂商:
UTC
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器件名:
UP1753G-AA3-R
产品描述:
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):800mW;
生产厂商:
UTC
规格书
替代料
价格
器件名:
LM2940G-12V-AA3-R
产品描述:
输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:26V;输出电压:12V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):66dB@(120Hz);
生产厂商:
UTC
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替代料
价格
器件名:
MCR100G-8-AD
产品描述:
生产厂商:
UTC
规格书
替代料
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器件名:
2N60G-CB-AA3-R
产品描述:
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
生产厂商:
UTC
规格书
替代料
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器件名:
LD1117AG-1.5V
产品描述:
输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:15V;输出电压:1.5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):75dB@(120Hz);
生产厂商:
UTC
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替代料
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器件名:
1N65G-AA3-R
产品描述:
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):1.2A;功率(Pd):8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.5Ω@10V,600mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
生产厂商:
UTC
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替代料
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器件名:
PZTA92G-AA3-R
产品描述:
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):250nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@1mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商:
UTC
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替代料
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器件名:
UF640G-TN3-R
产品描述:
生产厂商:
UTC
规格书
替代料
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器件名:
3N90L-TQ2-R
产品描述:
生产厂商:
UTC
规格书
替代料
价格
器件名:
7N65L-TN3-R
产品描述:
生产厂商:
UTC
规格书
替代料
价格
器件名:
2SB649AG-C-TN3-R
产品描述:
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@600mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商:
UTC
规格书
替代料
价格
器件名:
2SD669AG-C-TN3-R
产品描述:
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@600mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商:
UTC
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器件名:
2SC5353BL-TN3-R
产品描述:
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):750V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):22W;集电极截止电流(Icbo):100μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@1.2A,240mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商:
UTC
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器件名:
2SB649AG-C-AB3-R
产品描述:
双极功率通用晶体管 SOT89 160V 1.5A 0.5W
生产厂商:
UTC
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价格
器件名:
2SC4672G-A-AB3-R
产品描述:
生产厂商:
UTC
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器件名:
MCR100G-6-AD-AE3-R
产品描述:
PNPN
生产厂商:
UTC
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替代料
价格
器件名:
MCR100G-8-AD-AE3-R编带
产品描述:
单向可控硅
生产厂商:
UTC
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替代料
价格
器件名:
UT2305G-AE2-R
产品描述:
类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,4.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA;
生产厂商:
UTC
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器件名:
UT2302G-AE2-R
产品描述:
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.4A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):95mΩ@2.5V,3.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):450mV@250uA;
生产厂商:
UTC
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