搜索内容
登录
DRAM
41人关注
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
...展开
2332
文章
17
视频
84
帖子
189760
阅读
关注标签,获取最新内容
全部
技术
资讯
资料
帖子
视频
芯片价格下滑,德州仪器谋求出售日本美国工厂
2012-02-15
820阅读
美国SIA公布半导体未来蓝图:DRAM前景可期
2012-02-13
1568阅读
美光科技总裁亚当斯:内存价格或已见底
2012-02-12
1031阅读
中国希望并将拥有自己的半导体生产厂
2012-01-05
1196阅读
2011年DRAM产业六大重要事件回顾
2011-12-30
1280阅读
AMD推出自有品牌DRAM模组
2011-11-30
816阅读
IC设计降低DRAM营收比重
2011-11-25
844阅读
IEK:半导体 明年正成长
2011-11-24
877阅读
瑞晶预计提前转进30纳米制程
2011-11-23
687阅读
2011通讯IC与DRAM境遇两重天
2011-11-23
917阅读
DRAM持续下跌 存储器封测厂本季展望
2011-11-19
1564阅读
价格跌破成本 DRAM产业面临重大转折点?
2011-11-17
711阅读
机顶盒将失去对DRAM市场的影响力
2011-11-03
1088阅读
三星总裁称泰国洪灾对DRAM市场产生不利影响
2011-10-31
595阅读
旺季需求加持 10月DRAM合约价止跌回稳
2011-10-28
722阅读
手机DRAM需求强劲 利基型DRAM比重持续攀升
2011-10-28
3784阅读
近半年DRAM价首见止跌
2011-10-27
531阅读
DRAM记忆体晶片主流 朝2GB发展
2011-10-13
1258阅读
三星电子开发新一代LPDDR3移动DRAM技术
2011-09-30
2682阅读
DRAM厂商前景黯淡 今后几年产业销售额将下挫
2011-09-23
648阅读
上一页
116
/
119
下一页
相关推荐
更多 >
3D打印
拆解
贸泽电子
OGS
EUV
14nm
寒武纪
半导体芯片
EnOcean
Heilind
4K
×
20
完善资料,
赚取积分