扬杰科技出席2025功率半导体器件与集成电路会议

什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模块/模组？特性是什么？主要应用哪里？

Wolfspeed破产重组 SiC行业格局生变

选择基本半导体SiC碳化硅功率模块，赋能盘式电机驱动新纪元

逆变焊机新时代：碳化硅（SiC）技术开启高效节能新篇章

SiC碳化硅MOSFET驱动技术创新，赋能高效能源未来

国产SiC碳化硅功率半导体全面取代Wolfspeed进口器件的路径

国产1700V SiC MOSFET在电力电子辅助电源中的全面进口替代方案

基本半导体SiC功率模块：中国工商业储能变流器PCS厂商出海的“技术引擎”

开启焊机高效时代：国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析

第三代半导体的优势和应用领域

东芝推出隔离栅极驱动器电路参考设计

东芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

2025上海车展，电驱逆变砖的“百家争鸣” | 10大逆变砖技术方案汇总与解读

全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起

SiC模块BMF240R12E2G3全面替代英飞凌SiC单管IMZA120R014M1H并联方案

12英寸SiC，再添新玩家

美信检测荣获车规级功率半导体技术服务杰出供应商

芯长征SiC功率模块荣获2025金芯奖新锐产品奖

国产SiC碳化硅功率模块全面取代进口IGBT模块的必然性