瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项
瞻芯电子荣获2024年电源行业配套品牌两项大奖
瞻芯电子推出车规级1200V 60A SiC 肖特基二极管(SBD)产品，助力高效大功率应用
瞻芯电子参与编制SiC MOSFET可靠性和动态开关测试标准
瞻芯电子推出采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET
瞻芯电子邀您相约中国电源学会学术年会
瞻芯电子将参加2024慕尼黑上海电子展
瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证
瞻芯电子IVCR2404MP系列双通道驱动芯片产品介绍
瞻芯电子出席德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2024展会
瞻芯电子将携SiC器件及驱动芯片参展CIAS功率半导体新能源创新大会
瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z
瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证
碳化硅(SiC)功率半导体公司瞻芯电子完成股份改制
Tagore Tech和Inventchip联合开发一款500W电源参考设计解决方案
瞻芯电子推出第二代650V车规级TO263-7封装助力高效高密应用
瞻芯电子荣获2项电源行业配套品牌奖
碳化硅(SiC)厂商瞻芯电子获得环境与职业健康安全管理体系认证
SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析（下）
SiC MOSFET驱动电压尖峰与抑制方法分析（上）
