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的新型短波长光源的核心器件，由于双折射相位匹配存在玻应廷走离效应，限制了非线性转换效率的提高，准相位匹配不存在这样的缺点，它可以在整个晶体长度上实现非临界匹配，因此其相互作用长度不受限制，并且可以获得在晶体的透过范围

的粘附改善是在光刻胶涂层之前加入天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性，这种预涂层处理还改变了（100）砷化镓的湿蚀刻轮廓，使反应限制蚀刻与未经表面处理的晶片相比更具各向同性；轮廓在[011‘]和[011]方向

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光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层，经过光照、显影，在光刻胶上留下掩模版的图形。