*附件：国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的

随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为

通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。　　相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带碳化硅材料设计的

10μs，在设计硅IGBT的短路保护电路时，建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。　　2）碳化硅MOSFET　　一般碳化硅

　　采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列　　产

，极大地提高模块工作的可靠性。此外，铝带、铜带连接工艺因其更大的截流能力、更好的功率循环以及散热能力，也有望为碳化硅提供更佳的解决方案。图 11

0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。　　功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率

面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率

　　由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。