to247封装pcb库
针对TO-247封装的PCB库设计,以下是关键要点和注意事项(适用于Altium Designer/KiCad等工具),结合您的需求用中文整理:
TO-247封装核心参数
-
引脚尺寸(常见MOSFET/二极管):
- 引脚间距:5.45mm(中心距)
- 引脚厚度:0.8mm
- 引脚宽度:1.0~1.2mm
- 钻孔直径:≥1.3mm(推荐1.5mm余量)
- 焊盘直径:≥2.5mm(建议外扩0.6mm以上)
-
本体轮廓:
- 长度:15.8~16.0mm
- 宽度:20.2~20.4mm
- 高度:4.8~5.0mm(不含引脚)
PCB设计关键步骤
-
焊盘设计(三引脚):
G D S ┌───┐ ┌───┐ ┌───┐ │ ● │ │ ● │ │ ● │ 孔径1.5mm,焊盘直径2.6mm └───┘ └───┘ └───┘ 间距5.45mm -
散热处理:
- 金属背板区:在器件下方预留≥15x20mm的无阻焊区域(开窗)
- 散热过孔:在背板区阵列添加Φ0.3mm过孔(间距1.5mm),连接内部地/电源层铜箔
- 焊盘强化:G/S引脚使用泪滴焊盘,避免大电流撕裂
-
安全间距:
- 高压应用(如>100V)时,引脚间开槽加3mm隔离槽
- 本体下方丝印框需外扩1mm(避免安装干涉)
开源库资源推荐
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SnapEDA(直接下载):
- TO-247-3标准库(支持Altium/KiCad格式)
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KiCad官方库: 路径:
Package_TO_SOT_THT > TO-247-3_*.kicad_mod
设计验证清单
- ✅ 万用表检测引脚间无短路(高电压设计必须)
- ✅ 实际器件插入验证引脚匹配度
- ✅ 散热铜箔面积≥器件背板80%
- ✅ 丝印层标注引脚极性(G/D/S或1/2/3)
常见错误规避
- 孔径不足:1mm孔无法插入标准引脚(必须≥1.3mm)
- 忽略散热:未开窗/无过孔导致温升超标
- 极性反接:丝印未标注导致MOSFET装反烧毁
提示:大电流应用时,建议D/S引脚采用「星型拓扑」走线,避免共阻抗干扰。若需TO-247-4引脚(带温度检测),需额外增加中间引脚焊盘。
建议用实物测量验证封装尺寸,不同厂家可能存在±0.2mm公差。
新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封装
新品CoolSiCMOSFET650VG2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封装CoolSiCMOSFET650VG2,7mΩ,采用TO-
2024-11-23 01:04:06
21NM60ND-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管
1970-01-01 08:00:00 至 1970-01-01 08:00:00
20N60-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管
1970-01-01 08:00:00 至 1970-01-01 08:00:00
18NM80-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管
1970-01-01 08:00:00 至 1970-01-01 08:00:00
TO-247封装碳化硅MOSFET引入辅助源极管脚的必要性
产品尺寸,从而提升系统效率。而在实际应用中,我们发现:带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件,它可以进一步降低器件的开关损耗,也更有利于分立器件的驱动
ON安森美高功率应用TO247封装IGBT单管
IGBT系列器件采用改进的门控制来降低开关损耗,具有非常高效的带Field Stop技术的沟槽,TJmax等于175℃。独立的发射器驱动引脚和采用TO-247-4封装,可确保最小的Eon损耗。针对高速
换一换
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