光刻机中国能造吗？

制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望尘莫及的技术难点之一，许多美国德国品牌光刻机具有特殊专利的机械工艺设计。例如Mycro N&Q光刻机采用的全气动轴承设计专利技术，有效避免轴承机械摩擦所带来的工艺误差。

中国具备制造部分光刻机的能力，但在高端光刻机（特别是EUV极紫外光刻机）领域仍存在显著差距，需要长期技术攻关。以下是具体分析：

1. 中国当前的能力

中低端光刻机：
中国已能量产用于90nm及以上成熟制程的DUV（深紫外）光刻机，可满足物联网、汽车芯片等大部分需求。例如：
- 上海微电子（SMEE） 的SSA600系列可支持90nm制程（通过多重曝光可实现28nm），但其技术和产能较国际巨头仍有差距。
- 28nm DUV光刻机在2023年进入验证阶段，但尚未大规模商用。
关键部件国产化突破：
- 光源：中科院科益虹源已研发出40W DUV光源（用于28nm）。
- 物镜系统：长春光机所完成EUV光学系统原型验证。
- 双工件台：清华华卓精科实现28nm级技术突破。

2. 高端光刻机的瓶颈（尤其是EUV）

当前全球仅有荷兰ASML（阿斯麦） 能生产EUV光刻机（支持7nm以下先进制程），中国尚未突破此领域：

技术封锁：EUV涉及超10万个精密零件，需集齐全球顶尖技术（如德国蔡司镜头、美国Cymer光源）。美国通过《瓦森纳协定》严格限制对华出口相关技术。
核心难点：
- 光源系统：EUV需功率250W以上的极紫外光源（将锡滴等离子化），中国目前实验室功率仅约50W。
- 光学镜头：物镜表面粗糙度需达原子级（<0.1nm），ASML依赖蔡司独家供应，中国尚无替代方案。
- 精密控制：EUV工作环境需超高真空，晶圆定位误差需小于1纳米。
产业链短板：光刻胶、高精度光栅等上游材料仍依赖日美企业（如JSR、信越化学）。

3. 国产化进展与挑战

政策支持：国家投入超3000亿人民币扶持半导体产业，"大基金"重点支持设备研发。
企业突破：
- 上海微电子计划2024年交付首台国产28nm DUV光刻机。
- 华为等企业通过芯片设计优化，在14nm DUV多重曝光下实现7nm等效性能（如麒麟9000s）。
现实挑战：
- 技术验证周期长：光刻机从研发到量产需10年以上技术迭代（ASML EUV研发耗时20年）。
- 全球生态依赖：ASML供应链含5000家供应商，中国短期内难以复刻完整生态。

结论

中国能独立制造90nm-28nm中低端光刻机，并加速推进28nm级国产化，但7nm以下EUV光刻机仍依赖进口。突破高端光刻机需攻克光源、镜头等核心部件，并构建自主产业链，预计需5-10年才可能实现非EUV的先进制程（如N+2多重曝光），而EUV级别的自研仍需更长时间。短期内，中国将通过芯片设计、封装技术（如Chiplet）弥补制造端短板。