mosfet的开关行为 - 电子发烧友网

本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET

2025-02-26 14:41:53

2023-12-04 15:26:12

MOSFET 的选择关乎效率，设计人员需要在其传导损耗和开关损耗之间进行权衡。传导损耗发生在在 MOSFET 关闭期间，由于电流流过导通电阻而造

2023-11-15 16:12:33

针对视频中的完整行为建模，目前常用的方法为时间分段网络（ Temporal Segment Network，TSN），但TSN不能充分获取行为的变化信息。为了在时间维度上充分发掘

资料下载佚名 2021-05-07 11:48:24

为了提高驾驶分心识别的应用性及识别模型的可解释性，利用迁移学习方法硏究构建驾驶人驾驶分心行为识别模型并采用神经网络可视化技术硏究对模型进行解释。以ⅤGσ-6模型为基础，对原模型全连接层进行修改以适应

资料下载佚名 2021-04-30 13:46:51

功率MOSFET的开关损耗分析。

资料下载姚小熊27 2021-04-16 14:17:02

目前恶意代码出现频繁且抗识别性加强，现有基于签名的恶意代码检测方法无法识别未知与隐藏的恶意代码。提出一种结合动态行为和机器学习的恶意代码检测方法。搭建自动化分析 Cuckoo沙箱记录恶意代码的行为

资料下载佚名 2021-03-23 16:24:19

针对目前多数聚类算法需要事先确定网络用户行为数据规模以及生成的簇标签缺乏明确语义的问题，提出一种用于网络用户行为聚类分析的簇标签自动生成方法。应用潜在因子模型和矩阵分解方法对原始网络用户

资料下载佚名 2021-03-19 15:53:02

前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关

2023-02-09 10:19:24

本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC

2023-02-09 10:19:20

通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC

2023-02-09 10:19:20

MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载，需要各种不同的

2022-11-17 08:05:25

具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的

2022-07-06 12:30:42

本帖最后由张飞电子学院鲁肃于 2021-1-30 13:21 编辑本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET

2021-01-30 13:20:31

来说，对于其他MOSFET来说它大约是1kOhm，它也是2kOhm和3kOhm。我没有获得与所有MOSFET相同的性能。我认为这是因为漏极与源阻抗的这种变化。我从未见过

2019-06-19 11:44:51