mosfet型号及器件类型
初级元器件知识之功率MOSFET
分别被称为漏极、栅极和源极,对应的三极管的三个电极分别是集电极、基极和发射极。FET有两个主要变种,它们针对不同类型的应用做了最优化。JFET(结型 FET)被用于小信号处理,而MOSFET(金属
常见的电子元器件和芯片封装类型
芯片的世界封装类型太多了,这里总结了70多种常见的芯片封装。希望能让你对封装有一个大概的了解。
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h1654156022.3134
2021-04-22 09:14:41
低成本高性能的新一代高压功率MOSFET
在当今的电力电子市场上,与其他电子领域一样,降低成本是保持竞争力的必要条件。新一代高压功率MOSFET提供了与上一代器件相同的芯片面积的通电电阻(RDS(on))。也正在使用这项技术生产更小的芯片
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平方电子
2021-04-21 09:19:24
MOSFET功率器件资料下载
电子发烧友网为你提供MOSFET功率器件资料下载的电子资料下载,更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
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佚名
2021-04-15 08:40:30
SiC MOSFET器件应该如何选取驱动负压
近年来,宽禁带半导体SiC器件得到了广泛重视与发展。SiC MOSFET与Si MOSFET在特定的工作条件下会表现出不同的特性,其中重要的一条
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bobsmith1789
2020-07-20 08:00:00
SiC-MOSFET器件结构和特征
通过电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
P沟道MOSFET的基本概念及主要类型
MOSFET是一种三端、电压控制、高输入阻抗和单极器件,是不同电子电路中必不可少的元件。一般来说,这些器件根据其默认状态下是否有相应的通道,分为
耗尽型MOSFET的基本概念及主要类型
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压,源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时,从漏极到源极的电流将减少,直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽型
SiC功率器件SiC-MOSFET的特点
电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si
换一换
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