mosfet寿命
如何延长铝电解电容寿命?
与功率器件(如MOSFET)、变压器保持至少10mm间距。例如,某服务器电源模块通过调整电容与MOSFET的距离,温降达8℃,寿命延长30%。
2025-10-11 14:37:09
SiC MOSFET 开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计
尖峰电压和系统 EMC 的抑制为目标。实际应用中,选择缓冲吸收电路参数时,为防止 SiC-MOSFET开关在开通瞬间由于吸收电容器上能量过多、需通过自身放电进而影响模块使用寿命,需要对 RC 缓冲吸收
锂电池多状态模型剩余寿命预测方法
针对锂离子电池的容量恢复现象导致的剩佘寿命预测精度不高的问题,提岀了一种锂离子电池的多状态模型剩余寿命预测方法。首先通过分析锂电池的衰退数据将锂离子电池的退化过程分为正常退化、容量恢复和加速退化三种
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佚名
2021-05-31 14:27:26
MOSFET及MOSFET驱动电路基础汇总
正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOSFET 及MOSFET 驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS 管的介绍,特性,驱动以及应用电路。
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佚名
2021-05-10 09:55:12
低成本高性能的新一代高压功率MOSFET
在当今的电力电子市场上,与其他电子领域一样,降低成本是保持竞争力的必要条件。新一代高压功率MOSFET提供了与上一代器件相同的芯片面积的通电电阻(RDS(on))。也正在使用这项技术生产更小的芯片MOSFET,其RD
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平方电子
2021-04-21 09:19:24
MOSFET及MOSFET驱动电路基础资料下载
电子发烧友网为你提供MOSFET及MOSFET驱动电路基础资料下载的电子资料下载,更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
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佚名
2021-03-31 08:41:57
什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用
SiC MOSFET FIT率和栅极氧化物可靠性的关系
和特性几乎是相同的,因此理论上相同面积和氧化层厚度的Si MOSFET和SiC MOSFET可以在相同的时间内承受大致相同的氧化层电场应力(相同的本征寿命
SiC MOSFET:经济高效且可靠的高功率解决方案
MOSFET上进行了加速栅极氧化物寿命测试。两个测试结果之间的密切一致证实了SiC MOSFET是可靠的器件,当在T = 175°C和V GS
换一换
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