目录 第1章 半导体中的电子和空穴第2章 电子和空穴的运动与复合 第3章 器件制造技术 第4章 PN结和金属半导体结 第5章 MOS电容 第6章

本书较全面地讲述了现有各类重要功率半导体器件的结构、基本原理、设计原则和应用特性，有机地将功率器件的设计、

元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。　　基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件　　碳化硅

所在各类半导体功率器件中，未来增长强劲的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模块。目前，全球功率

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率

1，半导体基础2，PN节二极管3，BJT和其他结型器件4，场效应器件

半导体器件物理（胡正明）

和模型　　产品应用　　先进半导体工艺开发　　PDK/SPICE模型库开发　　SPICE模型验证和定制　　技术指标　　支持器件类型：MOSFET，