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Onsemi NTJS3157N MOSFET:小尺寸大能量 在电子设备不断向小型化、高效化发展的今天,MOSFET 作为关键的功率开关器件,其

2026-04-19 17:05:15

尺寸特征观测扫描电镜

1970-01-01 08:00:00 至 1970-01-01 08:00:00

利用EBSD技术精确分析晶粒尺寸与晶界特征

晶粒尺寸与晶界特征晶粒作为材料中的基本结构单元,其尺寸和取向对材料的性能有着深远的影响。晶粒内部的取向相对一致,而相邻晶粒之间则存在明显的取向差

2024-11-26 11:51:21

基于特征图融合的小尺寸人脸检测方法

人脸检测是指从输入图片或视频中找到人脸的精确位置并确定其大小。为了应对尺度多样性特别是小尺寸人脸给人脸检测任务带来的困难,文中提岀一种新的基于特征图融合的小尺

资料下载 佚名 2021-05-29 14:17:01

功率MOSFET传输特征资料下载

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资料下载 山中老虎 2021-04-27 08:48:42

N沟通和P沟道的功率MOSFET特征资料下载

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资料下载 佚名 2021-03-29 16:49:32

融合神经网瓶颈特征与MFCC特征的符合特征构造方法

针对梅尔频率倒谱系数(MrCC)语音特征不能有效反映连续帧之间有效信息的问题,基于深度神经网络相关性和紧凑性特征,提岀一种融合神经网瓶颈特征与M

资料下载 佚名 2021-03-17 11:31:56

新型着装人体多特征提取和尺寸测量算法

传统非接触式人体尺寸测量中的关键特征点是根据人体各部位的比例关系直接提取,该方法对人体体型和着装要求严格,导致在多数情形下获取的关键特征点存在较

资料下载 佚名 2021-03-16 09:41:35

尺寸特征影像测量仪

1970-01-01 08:00:00 至 1970-01-01 08:00:00

SiC-MOSFET特征

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过,如低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较,进一步加深对SiC-

2023-02-23 11:25:47

MOSFET尺寸及伏安特性

Fig. 2标出了我们所关注的MOSFET器件的几何尺寸,包括沟道的有效长度L_eff(导体的长度L_drawn略大于L_eff),沟道的宽度W,绝缘层的厚度t_ox,这些参数主要影响沟道两侧的电容和沟道的电阻,从而

2023-02-16 11:35:28

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继前篇结束的SiC-SBD之后,本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。

2023-02-08 13:43:19

SiC-MOSFET器件结构和特征

度的漂移层实现高耐压。  因此,在相同的耐压值情况下,SiC可以得到标准化导通电阻(单位面积导通电阻)更低的器件。  例如900V时,SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-

2023-02-07 16:40:49

对棒线材中的螺纹钢测量最关心的是特征尺寸

对棒线材中的螺纹钢测量最关心的是特征尺寸:纵肋高、横肋高和内径。螺纹钢测径仪快速测量(轮廓取样)同时刻同截面的各轴向的测量数据,并对所测数据做出判断给出特征

2022-02-25 10:31:51

N沟通和P沟道的功率MOSFET特征是什么

功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征

2021-03-02 08:40:51
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