英飞凌mosfet停产
英飞凌COOLMOS
技术,根据超结(SJ)原理设计,由英飞凌科技率先推出。CoolMOS™ P6 系列将领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与顶尖创新技术相结合。这些器件具有快速开关 SJ
将英飞凌的 MOSFET AIMBG120R040M1带有温度参数的 SPICE 模型导入 LTspice 时遇到的问题和错误求解
Category: Software Product Number: AIMBG120R040M1 Software Version: LTSPICE的 XVII 我将英飞凌的 SiC
探索英飞凌OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET:电机驱动的新突破
探索英飞凌OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET:电机驱动的新突破 在电子工程师的日常工作中,为电机驱动系统挑选合适的MOSFET至关
2025-12-18 14:30:06
MOSFET及MOSFET驱动电路基础汇总
正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOSFET 及MOSFET 驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS 管的介绍,特性,驱动以及应用电路。
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佚名
2021-05-10 09:55:12
低成本高性能的新一代高压功率MOSFET
在当今的电力电子市场上,与其他电子领域一样,降低成本是保持竞争力的必要条件。新一代高压功率MOSFET提供了与上一代器件相同的芯片面积的通电电阻(RDS(on))。也正在使用这项技术生产更小的芯片MOSFET,其RD
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平方电子
2021-04-21 09:19:24
英飞凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
英飞凌再次引领行业潮流,最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技术创新和卓越性价比,在全球范围内树立了高压超级结MOSF
2024-09-03 14:50:45
英飞凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7
英飞凌科技近日推出了其最新的OptiMOS™ 7 80 V系列首款产品——IAUCN08S7N013。这款MOSFET技术不仅显著提升了功率密度,还采用了通用且坚固的SSO8 5x6mm² SMD封装。
2024-05-07 15:08:07
英飞凌发布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET
英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ,旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00
英飞凌EiceDRIVER™技术以及应对SiC MOSFET驱动的挑战
碳化硅MOSFET导通损耗低,开关速度快,dv/dt高,短路时间小,对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士,在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET
2022 年 11 月 29 日 – 提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET
2022-12-01 14:40:38
英飞凌的24G毫米波雷达开发板Distance2GO如何开发
英飞凌的24G毫米波雷达开发板Distance2GO如何开发 ,目前官网该开发板已停产,只有Distance2GOL的开发工具,能兼容使用么,
英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS™ 源极底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:38
换一换
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