0  引言SiC-MOSFET 开关模块（简称“SiC 模块”）由于其高开关速度、高耐压、低损耗的特点特别适合于高频、大功率的应用场合。相比 S

MOSFET 而言，其最大功率损耗是由温度及结-包装外壳间之热阻所决定的，即： 由上式可知，若能够有效减少热阻，则 Power MOSFET 所能承受之的最大功率损耗就可以获得提升。

过程中MOSFET开关损耗功率MOSFET的栅极电荷特性如图1所示。值得注意的是：下面的开通过程对应着BUCK变换器上管的开通状态，对于下管是0

情况下，系统必须独立控制哪些负载开启，何时开启，以什么速度开启。利用分立MOSFET电路或集成负载开关便能完成这种功率切换，如图1所示。图1：从

图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET

沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动IC。

本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET

如题。请问一下，MOSFET的手册里面哪个参数能看的出来，当其作为开关管，完全打开的时候，Vgs的电压？同事跟我讲，默认12V大多数都可以完全打开(NMOS)。低于12V就有点悬，MOS打开不完全