（1）Rds（on）和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小、效率越高、工作温升越低。 （2）Rds（on）时正温度

在这个电路图中，MCU_CTL是MCU发出的数字控制信号，有没有可能在某种条件下，上管Q1和下管Q3同时导通？

非常重要，下管截至会导致开关噪音（交流输入时，上下两管会交替的导通和截至，这过程还产生开关噪音）。如果

的电阻率，因而导通电阻较常规MOSFET将明显降低。　　通过以上分析可以看到：阻断电压与导通电阻分别在不同的功能区域。将阻断电压与

可以用 0关断，什麽时候要负关断想向前辈请教。我的想法：若是有上下管 ( 如逆变器，变频器 ) 的电路，因有是上下两管交替通、断的，为了防止两管同时

一、同步降压 优点：效率高：mos管的内阻非常小，导通压降远比肖特基二极管的正向大同压降小很多。 缺点： 稳定性不足：需要设计驱动电路，避免上下管同时

的。那么下管导通瞬间，是发生在下管的Rdson从无穷大到很小的过程中的。那么下管

，意思就是上下管不能同时导通，否则就短路了。上管开通时，下管就要关闭；

，因此，下管的寄生二极管在死区时间内具有导通损耗，同时具有二级管的反向恢复损耗。　　功率