mosfet尖峰电压
碳化硅MOSFET的开关尖峰问题与TVS保护方案
在电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET因其高效率、高频率和高温性能而备受青睐。然而,即使性能卓越,SiC MOSFET在开关过程中也可能面临电压
2024-08-15 17:17:27
开关MOSFET为什么会有振铃和电压尖峰
开关MOSFET中产生振铃和电压尖峰的现象是电力电子转换过程中常见的问题,尤其是在高频开关应用中更是如此。这接下来,我们将详细探讨这些现象的起因
2024-06-09 11:29:00
推挽变换器漏感电压尖峰
逆变电源工程师设计之首选。正是因为看似简单的一个拓扑,确让很多设计师望而却步,因为推挽有一个最头疼的问题,电压尖峰。通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET
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佚名
2021-11-09 12:51:00
大功率逆变电源IGBT关断电压尖峰抑制研究
大功率逆变电源IGBT关断电压尖峰抑制研究(电源技术应用2013年第3期)-自20世纪80年代以来,以IGBT为代表的双极型复合器件的迅速发展,使得电力电子器件沿着高
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佚名
2021-09-17 09:51:00
如何使用示波器测量MOSFET尖峰电压
在电子工程领域中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)因其高集成度、低功耗等特性而被广泛应用于各种电子设备中。然而,MOSFET在开关过程中可能会产生
2024-05-30 15:49:46
SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析(下)
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一,这能让系统效率显著提升,但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡,从而在驱动电压上产生更大的尖峰
2023-12-20 09:20:45
SiC MOSFET驱动电压尖峰与抑制方法分析(上)
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一,这能显著提升系统效率,但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡,从而让驱动电压产生更大的尖峰
2023-12-18 09:18:59
东芝低尖峰型MOSFET降低EMI的好帮手TPHR7404PU
TPHR7404PU 做电源设计的工程师朋友都知道,MOSFET由于其快速开关,导通电压低等特性,在电源设计中应用的非常广泛。但是使用MOSFET
2021-11-26 15:08:03
换一换
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