英飞凌mosfet高性能 - 电子发烧友网

Onsemi N沟道UniFET MOSFET：高性能开关利器在电子设计的领域中，MOSFET 作为关键的开关元件，广泛应用于各种电路中。今天

2026-03-30 10:50:09

™，正在推动服务器电源管理领域的创新，助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。英飞凌的600V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET

2026-01-16 17:14:18

探索英飞凌OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET：电机驱动的新突破在电子工程师的日常工作中，为电机驱动系统挑选合适的MOSFET至关

2025-12-18 14:30:06

资料下载 h1654156062.7469 2021-08-10 17:39:22

SP6621HP是一颗电流模式PWM控制芯片，内置功率MOSFET。

资料下载佚名 2021-05-21 16:40:39

资料下载 guyungood 2021-04-22 10:39:04

在当今的电力电子市场上，与其他电子领域一样，降低成本是保持竞争力的必要条件。新一代高压功率MOSFET提供了与上一代器件相同的芯片面积的通电电阻（RDS（on））。也正在使用这项技术生产更小的芯片MOSFET，其RD

资料下载平方电子 2021-04-21 09:19:24

资料下载知行111 2021-03-23 10:40:38

的作用。今天，我们要深入探讨的是英飞凌（Infineon）的IMYR140R019M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2，这是一款采用先进碳化硅技术和.XT互连技术的

2025-12-18 13:50:06

2025-10-31 09:35:26

在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章，本文将继续为您揭开这些误区

2025-04-30 18:21:20

英飞凌推出基于Arm Cortex-M33的最新高性能微控制器(MCU)系列PSOC Control。在ModusToolbox系统设计工具和软件的支持下，这款综合全面的解决方案使开发人员能够轻松创建

2025-02-20 09:22:20

靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。安富利合作伙伴英飞凌推出的CoolSiC

2024-05-16 09:54:31

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，

2024-03-12 08:13:02

英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN）陶瓷。

2021-08-06 15:25:30