*附件：国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的

具有决定性的影响。因此，深入理解栅极氧化层的特性，并掌握其可靠性测试方法，对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。今天的“SiC科

10μs，在设计硅IGBT的短路保护电路时，建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。　　2）碳化硅MOSFET　　一般碳化硅

更新换代，SiC并不例外　　新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然，随着碳化硅技术的进步，未来还将面临挑战，例如，晶圆

0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。　　功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC

应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的

碳化硅（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性，

。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等

硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状