p-mosfet 栅极驱动
华润微 CRTE280P06L2-G -60V Trench P-MOSFET 技术参数与应用解析
CRTD050P03L2-G 是一款采用 CRM 先进 Trench 工艺、-30V 高耐压、4.2mΩ 超低导通电阻、-125A 大电流承载、TO-252 通用封装的高性能 P-MOSFET,在导
2026-04-01 09:26:13
使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点?
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径, 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗? 使用 N-
THS3491用作驱动电路无法正常工作的原因?
如图是THS3491的数据手册上推荐它用作驱动电路的应用图。图中N-MOSFET的源极接在了最高电位+Vs,而THS3491的最大输出也是+Vs,并通过2.49Ω电阻连接到N-
华润微 CRTD280P06L2-GTO-252 P-MOSFET 规格书 佰祥电子
华润微代理商 - 华润微授权佰祥电子为中国区华润微代理商,佰祥电子本期为大家带来华润微专为低压大电流控制场景匠心打造的 Trench P-MOSFET——CRTD050P03L2-G,以 - 30V
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2026-04-01 11:46:08
华润微 CRTE280P06L2-G -60V P-MOSFET 规格书简介
本规格书由华润微代理商 - 华润微公司授权佰祥电子为中国华润微代理商提供。CRTE280P06L2-G 是华润微推出的 -60V Trench P-MOSFET,专为低压小功率控制场景设计,采用华润
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2026-03-31 14:52:54
MOSFET栅极驱动电流计算和栅极驱动功率计算
本文介绍了三个驱动MOSFET工作时的功率计算 以及通过实例进行计算 辅助MOSFET电路的
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2022-11-11 17:33:03
用光敏电阻及P-MOSFET设计的光控开关电路
用光敏电阻制作一个小装置,该装置在强光下无电流输出,在弱光下有电流输出。其实就是一个简单的光控开关电路,结构比较简单,操作很方便。 以下是一款采用光敏电阻及P-MOSFET设计的光控开关电路,如下图所示:
2023-05-30 16:00:49
N沟道和P沟道MOSFET的区别是什么
栅极端子连接的基板上,沉积了氧化层。由于该氧化层充当绝缘体(与基板绝缘),因此MOSFET也称为IGFET。在制造MOSFET时,轻掺杂的基板与
换一换
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