mosfet被击穿了
明明选了对的TVS,芯片为何还是被ESD击穿?
在项目复盘会上,我们是不是经常听到这样的抱怨:“明明选了一颗标称能抗30kV的TVS管,数据手册上的参数也完全符合IEC61000-4-2Level4标准,为什么量产时还是有板子因为静电死机?甚至昂贵的CPU被
2026-04-15 20:03:10
MOS管被击穿的原因
MOS管的敏感性使其容易受到静电放电(ESD)的损害,这可能导致器件性能下降甚至完全失效。本文将深入探讨MOS管被击穿的原因,并提出相应的解决方案,以帮助电子工程师和技术人员更好地理解和处理这一
2024-10-04 16:44:00
这几种MOS管“击穿”,你了解吗?
MOSFET的击穿有哪几种?Source、Drain、Gate,场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G,(这里不讲栅极GOX击穿
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2022-02-09 11:42:07
电容通路(被击穿)——导致电源短路
超过最高极限温度的时候,可能会引起电容的击穿。2、电压击穿,当介质超过最高电压限度时,可能会引起电容的击穿。那么
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陈霞
2022-01-11 14:50:36
低成本高性能的新一代高压功率MOSFET
在当今的电力电子市场上,与其他电子领域一样,降低成本是保持竞争力的必要条件。新一代高压功率MOSFET提供了与上一代器件相同的芯片面积的通电电阻(RDS(on))。也正在使用这项技术生产更小的芯片
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平方电子
2021-04-21 09:19:24
cbb电容容易击穿吗?CBB电容被击穿的常见原因
cbb电容容易击穿吗?CBB电容被击穿的常见原因 CBB电容是一种电介质电容器,它由两个金属电极之间的介质组成。介质的质量和电介质与金属电极的
2023-09-22 17:42:00
标准硅MOSFET功率晶体管的结构/二次击穿/损耗
,而是JFET!下部晶体管是MOSFET。输出端的寄生NPN很明显,其基极被铝短路;在下部简化等效电路中,不包含它。中间的电路相当完整;所示的3个电容在数据手册中给出。 该图解释
什么是击穿?雪崩击穿和齐纳击穿有什么区别?
,产生“电子潮”,使贯穿介质的电流迅速增大,导致击穿。简单的来说本来不应该有电流通过的地方,由于加在它两端的电压过高,导致它有了电流通过,并且是大电流通过。这种情况就叫
电容被击穿的原因是什么
关于电容的物理性损坏,如果说产品出现断裂的现象还能够事后进行补救的话,那么出现击穿现象的电容,基本就可以放弃治疗了。因为产品本身的结构都已经遭到了破坏,形成不了一个完整产品形状
2021-06-22 15:14:02
换一换
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