650v功率mosfet优化设计
XZ1801H内置 650V MOSFET 输出12V/18V 0.6A恒压调节器芯片
概述 XZ1801H 是一款内置 650V MOSFET,高效低成本离线式恒压调节器,主要用于 Buck 和 Buck- Boost 拓扑。XZ1801H 默认 12
探索 onsemi NTH4LN040N65S3H 650V N 沟道功率 MOSFET
探索 onsemi NTH4LN040N65S3H 650V N 沟道功率 MOSFET 在电子工程领域,
2026-03-30 15:35:22
新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET
新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术,为行业技术和性价
2025-07-04 17:09:03
SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A
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2022-04-29 14:33:49
SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A
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2022-04-29 14:30:15
SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A
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2022-04-29 14:12:25
SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A
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2022-04-29 14:06:57
MPVA12N65F 650V12A功率MOSFET
MPVA12N65FTO-220F650V12A功率MOSFET
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2021-11-16 15:08:01
超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析
随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET,不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅
2025-03-01 08:53:44
为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件?
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:43
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半
好消息 东芝650V超级结功率提高大电流设备效率的MOSFET问市
东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:23
英飞凌推出650V SiC MOSFET,低压SiC市场竞争激烈
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC
2020-05-09 15:07:50
Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET
;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/d
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:32
换一换
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