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8205A6 N沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载
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2020-07-22
kuake0618
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8205A6采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和栅极电压低至2.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
特征
VDS=20V，ID=6A
RDS（开）《24 mΩ@VGS=4.5V
RDS（开）《30 mΩ@VGS=2.5V
提供6针SOT23-6封装
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