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MOSFET数据表连续电流额定值的详细资料说明
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2020-11-25
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今天我们来谈一谈 MOSFET 电流额定值，以及它们是如何变得不真实的。好，也许一个比较好的解释就是这些额定值不是用确定 RDS（ON） 和栅极电荷等参数的方法测量出来的，而是被计算出来的，并且有很多种不同的方法可以获得这些值。例如，大多数部件中都有 FET“封装电流额定值”，这个值同与周围环境无关，并且是硅芯片与塑料封装之间内在连接线的一个函数。超过这个值不会立即对 FET 造成损坏，而在这个限值以上长时间使用将开始减少器件的使用寿命。高于这个限值的故障机制包括但不限于线路融合、成型复合材料的热降解、以及电迁移应力所导致的问题。然后是我们考虑的“芯片限值”，通常通过将外壳温度保持在 25˚C 来指定。基本上，这个条件假定了一个理想的散热片，只使用结至外壳热阻来计算器件能够处理的最大功率（在下面的方程式 1 和 2 中显示）。换句话说，假定 RθCase-to-Ambient 为零，这在应用中并不是一个很实用的条件，这样的话，最好将这个电流额定值视为表示器件 RDS（ON） 和热阻抗的品质因数。
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