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N 沟道 9.1 mΩ、30 V TrenchMOS 逻辑电平 FET，采用 LFPAK-PSMN9R1-30YL

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:919.45KB | 2023-02-22

李玉兰

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N 沟道 9.1 mΩ、30 V TrenchMOS 逻辑电平 FET，采用 LFPAK-PSMN9R1-30YL
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