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SiSS23DN P沟道20V(D-S)MOSFET规格书

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.24 MB | 2023-07-25

陈月言

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SiSS23DN P沟道20V(D-S)MOSFET规格书
 

特征
 • 沟槽场效应晶体管®功率场效应管
 • 低热阻功率包®
小尺寸和低 0.75 mm 封装轮廓
 • 100% Rg 和 UIS 测试
 • 材料分类:用于合规性的定义

应用
 • 智能手机、平板电脑、手机/计算机科学
 - 电池开关
 - 负载开关
 - 电源管理
 - 电池管理
 

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